Self-powering high frequency modulated SiC Power MOSFET isolated gate driver
Autor(es) y otros:
Fecha de publicación:
2019
Versión del editor:
Citación:
IEEE Transactions on Industry Applications, 55(4), p. 3967-3977 (2019); doi:10.1109/TIA.2019.2910789
Descripción física:
p. 3967-3977
ISSN:
Patrocinado por:
Spanish Government under the research mobility Grant PRX15/00594 for professors and researchers in foreign higher education and research institutions (MECD) ENE2016-77919; European Union through ERFD Structural Funds (FEDER); Government of the Principality of Asturias under Grant FC-GRUPIN-IDI/2018/000241 and under “Severo Ochoa” Program of predoctoral grants
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