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A physics-oriented analysis of sic trench mosfets under gate switching stress test conditions
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Roig, J.
;
Krishna, R.
;
Jiménez Guerra, C.
;
Gómez Gómez, Alexis Anselmo
;
García Meré, Juan Ramón
;
Rodríguez Alonso, Alberto
;
Rodríguez Méndez, Juan
Fecha de publicación:
2024
Versión del editor:
http://dx.doi.org/10.1109/ISPSD59661.2024.10579599
Descripción física:
p. 100-103
URI:
https://hdl.handle.net/10651/77593
ISBN:
979-835039482-5
ISSN:
1063-6854
DOI:
10.1109/ISPSD59661.2024.10579599
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