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An insightful evaluation of a 650V high-voltage gan technology in cascode and stand-alone transistors
Autor(es) y otros:
Jaume, R.
;
Manuel, F.
;
Germán, G.
;
Frederick, D.
;
González Lamar, Diego
;
Filip, B.
Fecha de publicación:
2016
Descripción física:
p. 1479, 7499528-1486
URI:
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=7499528
http://hdl.handle.net/10651/44833
ISBN:
9783800741861
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