Verificación del modelo analítico de pérdidas en conmutación para MOSFET de superunión con modelado de capacidades no-lineales y diversificación de corrientes

Abstract

En este trabajo se presenta un modelo analítico capaz de predecir pérdidas y formas de onda en MOSFET de Superunión (SJ) con tensiones de ruptura de 600V fabricados en silicio para conmutaciones duras. Dicho modelo incluye diferentes características intrínsecas que ayudan a obtener una gran precisión, basado en el análisis sobre capacidades no-lineales y la diversificación de corriente que ocurre en el canal del MOSFET. Esto hace que sea necesario usar nuevos métodos para la extracción de características eléctricas a partir de las hojas de características. Finalmente, se validará el modelo de manera experimental mediante el uso de un convertidor reductor y varios MOSFET de SJ comerciales, así como un prototipo aún en desarrollo