RUO Home

Repositorio Institucional de la Universidad de Oviedo

View Item 
  •   RUO Home
  • Producción Bibliográfica de UniOvi: RECOPILA
  • Ponencias, Discursos y Conferencias
  • View Item
  •   RUO Home
  • Producción Bibliográfica de UniOvi: RECOPILA
  • Ponencias, Discursos y Conferencias
  • View Item
    • español
    • English
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Browse

All of RUOCommunities and CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsxmlui.ArtifactBrowser.Navigation.browse_issnAuthor profilesThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsxmlui.ArtifactBrowser.Navigation.browse_issn

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

RECENTLY ADDED

Last submissions
Repository
How to publish
Resources
FAQs

Verificación del modelo analítico de pérdidas en conmutación para MOSFET de superunión con modelado de capacidades no-lineales y diversificación de corrientes

Author:
Castro Álvarez, IgnacioUniovi authority; Roig, Jaume; Bauwens, Filip; González Lamar, DiegoUniovi authority; Rodríguez Méndez, JuanUniovi authority; Vázquez Ardura, AitorUniovi authority
Publication date:
2015
Abstract:

En este trabajo se presenta un modelo analítico capaz de predecir pérdidas y formas de onda en MOSFET de Superunión (SJ) con tensiones de ruptura de 600V fabricados en silicio para conmutaciones duras. Dicho modelo incluye diferentes características intrínsecas que ayudan a obtener una gran precisión, basado en el análisis sobre capacidades no-lineales y la diversificación de corriente que ocurre en el canal del MOSFET. Esto hace que sea necesario usar nuevos métodos para la extracción de características eléctricas a partir de las hojas de características. Finalmente, se validará el modelo de manera experimental mediante el uso de un convertidor reductor y varios MOSFET de SJ comerciales, así como un prototipo aún en desarrollo

En este trabajo se presenta un modelo analítico capaz de predecir pérdidas y formas de onda en MOSFET de Superunión (SJ) con tensiones de ruptura de 600V fabricados en silicio para conmutaciones duras. Dicho modelo incluye diferentes características intrínsecas que ayudan a obtener una gran precisión, basado en el análisis sobre capacidades no-lineales y la diversificación de corriente que ocurre en el canal del MOSFET. Esto hace que sea necesario usar nuevos métodos para la extracción de características eléctricas a partir de las hojas de características. Finalmente, se validará el modelo de manera experimental mediante el uso de un convertidor reductor y varios MOSFET de SJ comerciales, así como un prototipo aún en desarrollo

Description:

XXII Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2015 (SAAEI’15), Zaragoza (España)

URI:
http://hdl.handle.net/10651/42048
Patrocinado por:

Gobierno de España a través del proyecto Consolider RUE CSD2009-00046, el proyecto DPI2013-47176-C2-2-R, mediante la financiación del Gobierno del Principado de Asturias a través del proyecto FC-15-GRUPIN14-143 y de la Beca Predoctoral “Severo Ochoa”BP14-140, la Beca Predoctoral del Programa FPI, BES-2011-044114 y los fondos FEDER

Collections
  • Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de Comunicaciones y de Sistemas [1093]
  • Investigaciones y Documentos OpenAIRE [8424]
  • Ponencias, Discursos y Conferencias [4233]
Files in this item
Thumbnail
untranslated
Versión de la editorial (459.0Kb)
Compartir
Exportar a Mendeley
Estadísticas de uso
Estadísticas de uso
Metadata
Show full item record
Página principal Uniovi

Biblioteca

Contacto

Facebook Universidad de OviedoTwitter Universidad de Oviedo
The content of the Repository, unless otherwise specified, is protected with a Creative Commons license: Attribution-Non Commercial-No Derivatives 4.0 Internacional
Creative Commons Image