dc.contributor.author | López Antuña, Abraham | |
dc.contributor.author | Fernández Miaja, Pablo | |
dc.contributor.author | Arias Pérez de Azpeitia, Manuel | |
dc.contributor.author | Fernández, Arturo | |
dc.date.accessioned | 2021-07-28T08:32:51Z | |
dc.date.available | 2021-07-28T08:32:51Z | |
dc.date.issued | 2021 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10651/60278 | |
dc.description | XXVIII Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2021 (SAAEI'21), 7-9 de julio, Ciudad Real (España) | spa |
dc.description.abstract | Los limitadores de corriente de enclavamiento (LCLs)
son circuitos empleados habitualmente en el control de cargas de
naves espaciales, con el objetivo de proteger el bus de potencia
frente a sobrecargas. Los esquemas clásicos de los LCLs están
basados en el uso de un MOSFET tipo P como dispositivo limitador.
Sin embargo, el desarrollo de nuevos materiales semiconductores de
banda prohibida ancha (WBG) abre la posibilidad de poder llegar a
operar a tensiones y temperaturas cada vez mayores. Ya se
encuentran trabajos recientes donde se plantea el uso de un
MOSFET tipo N de carburo de silicio (SiC) como dispositivo
limitador de corriente. Siguiendo en esta línea, este artículo presenta
el análisis y diseño de una arquitectura de LCL basada en el uso de
un MOSFET tipo N de SiC. Se presentan las distintas partes que
forman la arquitectura del LCL propuesto junto con las líneas
básicas de diseño para su implementación. Finalmente, se muestran
algunos resultados experimentales de un LCL clase 10, siguiendo la
arquitectura propuesta, para tensiones de bus de 100 V. | spa |
dc.description.sponsorship | Trabajo realizado mediante la financiación del Ministerio de
Ciencia e Innovación a través del proyecto RTI2018-099682-AI00,
la financiación de la Agencia Espacial Europea mediante el contrato
SiC Latching Current Limiter Study y la beca
predoctoral con referencia PRE2019-088425. | spa |
dc.language.iso | spa | spa |
dc.rights | © Autores | |
dc.subject | LCL | spa |
dc.subject | SiC | spa |
dc.subject | Dispositivos WBG | spa |
dc.title | Análisis y diseño de un limitador de corriente de enclavamiento basado en un MOSFET tipo N de SiC | spa |
dc.type | conference output | spa |
dc.relation.projectID | RTI2018-099682-AI00 | |
dc.relation.projectID | PRE2019-088425 | |
dc.rights.accessRights | open access | |
dc.type.hasVersion | AM | |