Caracterización de la impedancia de puerta y análisis de las características estáticas y dinámicas de MOSFET de SiC de 3,3 kV
Fecha de publicación:
Resumen:
En el desarrollo de nuevos semiconductores de banda prohibida ancha de alta tensión, se hace necesario realizar una caracterización exhaustiva de su comportamiento, de cara a su uso futuro en aplicaciones reales. En este documento se presenta una caracterización básica de unos nuevos prototipos de MOSFET de SiC de 3,3 kV, tanto de forma estática como dinámica, donde se detectan transiciones especialmente lentas que se explicarán en función de cómo es la configuración de las uniones de las puertas de las celdas del dispositivo de potencia
Descripción:
XXIII Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2015 (SAAEI’16), Elche (España)
Patrocinado por:
Gobierno de España a través de los proyectos DPI2013-47176-C2-2-R, MINECO-15-DPI2014-56358-JIN y la beca FPI BES-2014-070785, mediante la financiación del Gobierno del Principado de Asturias a través del proyecto FC-15-GRUPIN14-143 y los fondos FEDER, y gracias al proyecto de la Comisión Europea “Silicon Carbide Power Electronics Technology for Energy Efficient Devices”, SPEED, FP7 Large Project (NMP3-LA-2013-604057)
Colecciones
Ficheros en el ítem
Compartir
