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Comparativa de transistores de SiC de alta tensión en un elevador para frecuencias desde 100kHz a 1MHz

dc.contributor.authorRodríguez Alonso, Alberto 
dc.contributor.authorFernández Díaz, Marcos 
dc.contributor.authorVázquez Ardura, Aitor 
dc.contributor.authorGonzález Lamar, Diego 
dc.contributor.authorArias Pérez de Azpeitia, Manuel 
dc.contributor.authorSebastián Zúñiga, Francisco Javier 
dc.date.accessioned2013-11-06T12:31:51Z
dc.date.available2013-11-06T12:31:51Z
dc.date.issued2013-07
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10651/19448
dc.description.sponsorshipTrabajo realizado gracias a la concesión de los proyectos CONSOLIDER MICINN-10-CSD2009-00046 y MICINN-10-DPI2010-21110-C02-01 y la beca FPU con referencia AP2008-03380
dc.language.isospa
dc.relation.ispartofSAAEI 2013 (Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación, 10, 11 y 12 de julio de 2013, Madrid)spa
dc.rightsCC Reconocimiento - No comercial - Sin obras derivadas 3.0 España
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.titleComparativa de transistores de SiC de alta tensión en un elevador para frecuencias desde 100kHz a 1MHzspa
dc.typeconference outputspa
dc.rights.accessRightsopen access


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