Comparativa de transistores de SiC de alta tensión en un elevador para frecuencias desde 100kHz a 1MHz

dc.contributor.author	Rodríguez Alonso, Alberto
dc.contributor.author	Fernández Díaz, Marcos
dc.contributor.author	Vázquez Ardura, Aitor
dc.contributor.author	González Lamar, Diego
dc.contributor.author	Arias Pérez de Azpeitia, Manuel
dc.contributor.author	Sebastián Zúñiga, Francisco Javier
dc.date.accessioned	2013-11-06T12:31:51Z
dc.date.available	2013-11-06T12:31:51Z
dc.date.issued	2013-07
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10651/19448
dc.description.sponsorship	Trabajo realizado gracias a la concesión de los proyectos CONSOLIDER MICINN-10-CSD2009-00046 y MICINN-10-DPI2010-21110-C02-01 y la beca FPU con referencia AP2008-03380
dc.language.iso	spa
dc.relation.ispartof	SAAEI 2013 (Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación, 10, 11 y 12 de julio de 2013, Madrid)	spa
dc.rights	CC Reconocimiento - No comercial - Sin obras derivadas 3.0 España
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.title	Comparativa de transistores de SiC de alta tensión en un elevador para frecuencias desde 100kHz a 1MHz	spa
dc.type	conference output	spa
dc.rights.accessRights	open access

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