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SiC and Si transistors comparison in boost converter

dc.contributor.authorZapico Ania, Alberto 
dc.contributor.authorGabiola, Igor
dc.contributor.authorApiñaniz, Susana
dc.contributor.authorSantiago, Francisco
dc.contributor.authorPujana, Ainhoa
dc.contributor.authorRodríguez Alonso, Alberto 
dc.contributor.authorBriz del Blanco, Fernando 
dc.date.accessioned2013-06-27T07:33:00Z
dc.date.available2013-06-27T07:33:00Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.isbn978-1-4673-1971-3
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10651/17501
dc.language.isoeng
dc.relation.ispartof15th International Power Electronics and Motion Control Conference and Exposition, EPE-PEMC 2012 ECCE Europe
dc.sourceSCOPUS
dc.titleSiC and Si transistors comparison in boost converter
dc.typeconference outputspa
dc.identifier.local20121887
dc.identifier.doi10.1109/EPEPEMC.2012.6397197
dc.relation.publisherversionhttp://dx.doi.org/10.1109/EPEPEMC.2012.6397197


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