Anisotropía perpendicular en películas delgadas magnéticas nanopatronadas

Abstract

Los materiales magnéticos nanoestructurados que presentan anisotropía magnética perpendicular (PMA) han atraído mucho interés gracias, por ejemplo, a que su alta anisotropía magnética implica una mayor estabilidad térmica, lo que los hace más adecuados para muchas aplicaciones tecnológicas, como el almacenamiento de datos magnéticos [1]. Son muchos los factores que dan lugar a la PMA en un material: anisotropía magnetocristalina, anisotropía de forma, anisotropía de interfas… En el caso de una película delgada, la obtención de PMA es difícil por la aparición de una alta energía de dipolo. Una ruta para lograrlo consiste en usar matrices ordenadas artificialmente de nanoagujeros (antidots) para adaptar las propiedades físicas de las películas depositadas [2]. Esta estructura induce nuevas configuraciones de dominio magnético y fijación de la pared de dominio, lo que afecta las propiedades estáticas y dinámicas del material [2-3]. La litografía es uno de los métodos más populares para producir nanopatrones de películas continuas, permitiendo controlar con precisión el tamaño, la forma y la periodicidad de los poros. Sin embargo, los enfoques de autoorden, como el modelado con una plantilla de alúmina anódica, han demostrado ser bastante efectivos y menos costosos, especialmente cuando se usa un paso previo al modelado (nano indentación) antes de la anodización de la alúmina [4]. En este trabajo fin de máster proponemos estudiar las propiedades magnéticas de películas delgadas nanopatronadas Fe100-xGdx crecidas sobre membranas de alúmina mediante la técnica de evaporación. El estudiante caracterizará microestructural y magnéticamente las películas nanopatronadas y comparará los resultados con los de las películas continuas. Referencias: [1] B. Tudu et al, Vacuum. 146 (2017) 329–341 [2] A. Kaidatzis et al, J.M. García-Martín, J. Phys. D. Appl. Phys. 49 (2016) 5004–5012 [3] A.F. M. Salaheldeen, et al, Nanotechnology. 31 (2020) 485708 [4] C. Zhang et al, A