Estudio y análisis experimental del comportamiento de una configuración en cascodo compuesta por un IGBT de alta tensión y un MOSFET de baja tensión

Abstract

Este TFM se centra en el análisis de la configuración en cascodo formada por un IGBT como dispositivo de alta tensión, y un MOSFET de baja tensión. Para llevar a cabo este análisis, esta configuración en cascodo será comparada con una configuración individual, en la cual se emplea el mismo IGBT directamente controlado a través de su puerta. La comparación se lleva a cabo en términos del comportamiento en conmutación por parte de ambas configuraciones, de un análisis de las pérdidas presentes en ambos interruptores durante las transiciones de encendido y apagado y una comparativa del rendimiento alcanzado cuando se emplean ambos dispositivos en un convertidor elevador. Todos los resultados experimentales, presentes en este TFM, se han obtenido empleando un convertidor elevador operando en modo de conducción continuo, donde se fijan las tensiones de entrada y salida a 200 V y 400 V respectivamente. El rango de potencias manejadas por el elevador se ha variado entre 1 kW y 5 kW y las frecuencias de conmutación empleadas han sido de 20 kHz, 50 kHz y 100 kHz.